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      鍍膜技術(shù)的20個概念

      發(fā)布時間:2013-05-27 15:19:09點擊數(shù):2255次

      一、鍍膜技術(shù)可區(qū)分為那幾類?

      可區(qū)分為:

      (1)真空蒸鍍

      (2)電鍍

      (3)化學(xué)反應(yīng)

      (4)熱處理

      (5)物理或機械處理

      二、常用的真空幫浦有那幾種?適用的抽氣范圍為何?

      真空幫浦可分:(1)機械幫浦(2)擴散幫浦(3)渦輪幫浦(4)吸附幫浦(5)吸著幫浦

      真空幫浦抽氣范圍:

      泵浦抽氣范圍

      機械泵浦10-1 ~ 10-4 毫巴

      擴散泵浦10-3 ~ 10-6 毫巴

      渦輪泵浦10-3 ~ 10-9 毫巴

      吸附泵浦10-3 ~ 10-4 毫巴

      吸著泵浦10-4 ~ 10-10 毫巴

      三、電漿技術(shù)在表面技術(shù)上的應(yīng)用有那些?

      (1)濺漿沉積:濺鍍是利用高速的離子撞擊固體靶材,使表面分子濺離并射到基材鍍成一層薄膜,濺射離子的起始動能約在100eV。常用的電漿氣體為氬氣,質(zhì)量適當(dāng)而且沒有化學(xué)反應(yīng)。

      (2)電漿輔助化沉積:氣相化學(xué)沉積的化學(xué)反應(yīng)是在高溫基材上進行,如此才能使氣體前置物獲得足夠的能量反應(yīng)。

      (3)電漿聚合:聚合物或塑料薄膜最簡單的披覆技術(shù)就是將其溶劑中,然后涂布于基板上。電漿聚合涂布法系將分子單體激發(fā)成電漿,經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后形成一致密的聚合體并披覆在基板上,由于基材受到電漿的撞擊,其附著性也很強。

      (4)電漿蝕刻:濕式堿性蝕刻,這是最簡單而且便宜的方法,它的缺點是堿性蝕刻具晶面方向性,而且會產(chǎn)生下蝕的問題。

      (5)電漿噴覆:在高溫下運轉(zhuǎn)的金屬組件須要有陶瓷物披覆,以防止高溫腐蝕的發(fā)生。

      四、蒸鍍的加熱方式包括那幾種?各具有何特點?

      加熱方式分為:(1)電阻加熱(2)感應(yīng)加熱(3)電子束加熱(4)雷射加熱(5)電弧加熱

      各具有的特點:

      (1)電阻加熱:這是一種最簡單的加熱方法,設(shè)備便宜、操作容易是其優(yōu)點。

      (2)感應(yīng)加熱:加熱效率佳,升溫快速,并可加熱大容量。

      (3)電子束加熱:這種加熱方法是把數(shù)千eV 之高能量電子,經(jīng)磁場聚焦,直接撞擊蒸發(fā)物加熱,溫度

      可以高達30000C。而它的電子的來源有二:高溫金屬產(chǎn)生的熱電子,另一種電子的來源為中空陰極放電。

      (4)雷射加熱:激光束可經(jīng)由光學(xué)聚焦在蒸鍍源上,產(chǎn)生局部瞬間高溫使其逃離。最早使用的是脈沖紅寶雷射,而后發(fā)展出紫外線準分子雷射。紫外線的優(yōu)點是每一光子的能量遠比紅外線高,因此準分子雷射的功率密度甚高,用以加熱蒸鍍的功能和電子束類似。常被用來披覆成份復(fù)雜的化合物,鍍膜的品質(zhì)甚佳。它和電子束加熱或濺射的過程有基本上的差異,準分子雷射脫離的是微細的顆粒,后者則是以分子形式脫離。

      (5)電弧加熱:陰極電弧沉積的優(yōu)點為:(1)蒸鍍速率快,可達每秒1.0 微米

      (2)基板不須加熱

      (3)可鍍高溫金屬及陶瓷化合物

      (4)鍍膜密高且附著力佳

      五、真空蒸鍍可應(yīng)用在那些產(chǎn)業(yè)?

      主要產(chǎn)業(yè)大多應(yīng)用于裝飾、光學(xué)、電性、機械及防蝕方面等,現(xiàn)就比較常見者分述如下:

      1.鏡片的抗反射鍍膜(MgO、MgF2、SiO2 等),鏡片置于半球支頂,一次可鍍上百片以上。

      2.金屬、合金或化合物鍍膜,應(yīng)用于微電子當(dāng)導(dǎo)線、電阻、光電功能等用途。

      3.鍍鋁或鉭于絕緣物當(dāng)電容之電極。

      4.特殊合金鍍膜MCrAlY 具有耐熱性抗氧化性,耐溫達1100OC,可應(yīng)用須耐高溫環(huán)境的工件,如高速切削及成形加工、渦輪引擎葉片等。

      5.鍍金屬于玻璃板供建筑物之裝飾及防紫外線。

      6.離子蒸鍍鍍鋁,系以負高電壓加在被鍍件上,再把鋁加熱蒸發(fā),其蒸氣經(jīng)由電子撞擊離子化,然后鍍到鋼板上。

      7.鍍鋁于膠膜,可供裝飾或標簽,且鍍膜具有金屬感等。最大的用途就是包裝,可以防潮、防空氣等的滲入。

      8.機械零件或刀磨具鍍硬膜(TiC、TiN、Al2O3)這些超硬薄膜不但硬度高,可有效提高耐磨性,而且所需厚度剪小,能符合工件高精度化的要求。

      9.特殊合金薄片之制造。

      10.鍍多層膜于鋼板,改善其性能。

      11.鍍硅于CdS 太陽電池,可增加其效率。

      12.奈米粉末之制造,鍍于冷基板上,使其不附著。

      六、TiN 氮化鈦鍍膜具有那些特點?

      有以下的優(yōu)點:

      (1)抗磨損

      (2)具亮麗的外觀

      (3)具安全性,可使用于外科及食品用具。

      (4)具潤滑作用,可減少磨擦。

      (5)具防蝕功能

      (6)可承受高溫

      七、CVD 化學(xué)氣相沉積法反應(yīng)步驟可區(qū)分為那五個步驟?

      (1)不同成份氣相前置反應(yīng)物由主流氣體進來,以擴散機制傳輸基板表面。理想狀況下,前置物在基板上的濃度是零,亦即在基板上立刻反應(yīng),實際上并非如此。

      (2)前置反應(yīng)物吸附在基板上,此時仍容許該前置物在基板上進行有限程度的表面橫向移動。

      (3)前置物在基板上進行化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生沉積物的化學(xué)分子,然后經(jīng)積聚成核、遷移、成長等步驟,最后聯(lián)合一連續(xù)的膜。

      (4)把多余的前置物以及未成核的氣體生成物去吸附。

      (5)被去吸附的氣體,以擴散機制傳輸?shù)街髁鳉庀啵⒔?jīng)傳送排出。

      八、電漿輔助VCD 系統(tǒng)具有何特色?

      一般CVD 均是在高溫的基板下產(chǎn)生沉積反應(yīng),如果以電漿激發(fā)氣體,即所謂的電漿輔助CVD(Plasmaenhanced CVD 簡稱PECVD),則基板溫度可以大幅降低。然而一般薄層的光電鍍膜或次微米線條,相當(dāng)脆弱,容易受到電漿離子撞擊的傷害,故PECVD 并不適宜。

      九、CVD 制程具有那些優(yōu)缺點?

      優(yōu)點:

      (1)真空度要求不高,甚至不須真空,如熱噴覆。

      (2)高沉積速率,APCVD 可以達到1μm/min。

      (3)相對于PVD,化學(xué)量論組成或合金的鍍膜比較容易達成。

      (4)鍍膜的成份多樣化,包括金屬、非金屬、氧化物、氮化物、碳化物、半導(dǎo)體、光電材料、聚合物以

      及鉆石薄膜等。

      (5)可以在復(fù)雜形狀的基材鍍膜,甚至滲入多孔的陶瓷。

      (6)厚度的均勻性良好, LPCVD 甚至可同時鍍數(shù)十芯片。

      缺點:

      (1)熱力學(xué)及化學(xué)反應(yīng)機制不易了解或不甚了解。

      (2)須在高溫度下進行,有些基材不能承受,甚至和鍍膜起作用。

      (3)反應(yīng)氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性,處理需格外小心。

      (4)反應(yīng)生成物可能殘余在鍍膜,成為雜質(zhì)。

      (5)基材的遮蔽很難。

      十、鉆石材料具有那些優(yōu)點?可應(yīng)用在那些產(chǎn)業(yè)上?

      優(yōu)點:硬度高、耐磨性高、低熱脹率、散熱能力良好、防蝕能力加>>>等等可應(yīng)用在:聲學(xué)產(chǎn)品、消費產(chǎn)品、生醫(yī)產(chǎn)品、光學(xué)產(chǎn)品、超級磨料、航天產(chǎn)品、鉆石制造、化學(xué)產(chǎn)品、

      電子產(chǎn)品、機械產(chǎn)品。

      十一、鉆石薄膜通??墒褂媚切┓椒▉慝@得?

      近年來膜狀的鉆石合成技術(shù)突飛猛進。鉆石膜的厚度,可自奈米至毫米。薄膜常以物理氣相沉積的方

      法生成。厚膜則多以化學(xué)氣相沉積的方法獲得。

      十二、試說明PVD 法生長鉆石薄膜之特性?

      PVD 沉積鉆石時除撞擊區(qū)的少數(shù)原子外,其它的碳原子乃在真空下,而且溫度很低,因此常被認為是低壓法。由于鉆石在低壓為介穩(wěn)定狀態(tài)故PVD 法乃被歸類為介穩(wěn)定生長鉆石的方法。但在生長鉆石的撞擊區(qū)碳原子所受的壓力及溫度都很高。由于高溫影響的區(qū)域有限,因此鉆石乃在非平衡狀態(tài)下長出。在這種情況原子不易擴散,生出鉆石的原子排列只是短程有序,但長程排列則含極多缺陷,甚至也含大量雜質(zhì),故稱為類鉆碳。以PVD 法生長鉆石或DLC 因基材溫度很低,生長速率緩慢,通常只沉積極薄的一層。由于膜較薄,可附在復(fù)雜的工件表面上。鍍DLC 膜時因工件不受高溫影響,所以PVD沉積的DLC 用途廣泛,可用為模具涂層及硬盤護膜等。若要生長較厚的鉆石膜,原子必須擴散至晶格內(nèi)的穩(wěn)定位置,因此基材溫度要提高,但也不能高到使生出的鉆石轉(zhuǎn)化成石墨。

      十三、試說明CVD 法生長鉆石薄膜之特性?

      為使CVD 的鉆石生長順利,碳源常用已具鉆石結(jié)構(gòu)的甲烷。甲烷可視為以氫壓出的單原子鉆石。所以故煮飯時的煤氣含大量懸浮的單原子鉆石或DLC。甲烷分解時若氫原子可在附近若即若離的伴隨,沉積出的碳可維持鉆石的結(jié)構(gòu),并接合在鉆石膜上而不同再轉(zhuǎn)化成石墨。

      十四、使用CVD 法成長鉆石薄膜,氫元素和碳元素的濃度有何重要性?

      CVD 生長鉆石膜的瓶頸乃在避免碳氫化物形成石墨,因此氫原子應(yīng)比碳源多很多。碳源濃度決定了鉆石膜的生長速率,但碳源太高時氫原子會來不及維護鉆石結(jié)構(gòu)而使分解出的碳變成石墨。因此碳源太濃反而會降低轉(zhuǎn)化成鉆石的比率。碳源的濃度和溫度決定了鉆石隨方向生長速率的差異,因此也決定了鉆石的晶形。氫原子的濃度不僅決定了鉆石膜是否能成長,也決定了鉆石膜的質(zhì)量。氫原子產(chǎn)生的比率不太受氣體,但和溫度有直接關(guān)聯(lián)。隨著熱源溫度的降低及距離的增大,氫原子的濃度也會急遽下降。

      十五、何為化學(xué)氣相蒸鍍(CVD)?主要的優(yōu)缺點有那些?

      化學(xué)氣相蒸鍍乃使用一種或多種氣體,在一加熱的固體基材上發(fā)生化學(xué)反應(yīng),并鍍上一層固態(tài)薄膜。

      優(yōu)點:

      (1)真空度要求不高,甚至可以不需要真空,例如熱噴覆

      (2)沉積速率快,大氣CVD 可以達到1μm/min

      (3)與PVD 比較的話?;瘜W(xué)量論組成或合金的鍍膜較容易達成

      (4)鍍膜的成份多樣化,如金屬、非金屬、半導(dǎo)體、光電材料、鉆石薄膜等等

      (5)可以在復(fù)雜形狀的基材鍍膜,甚至滲入多孔的陶瓷

      (6)厚度的均勻性良好,低壓CVD 甚至可以同時鍍數(shù)十芯片

      缺點:

      (1)熱力學(xué)及化學(xué)反應(yīng)機制不易了解或不甚了解

      (2)需要在高溫下進行,有些基材不能承受,甚至和鍍膜產(chǎn)生作用

      (3)反應(yīng)氣體可能具腐蝕性、毒性或爆炸性,處理時需小心

      (4)反應(yīng)生成物可能殘余在鍍膜上,成為雜質(zhì)

      (5)基材的遮蔽很難

      十六、良好的薄膜須具備那些特性?影響的因素有那些?

      通俗的定義為在正常狀況下,其應(yīng)用功能不會失效。想要達到這個目的,一般而言這層薄膜必須具有堅牢的附著力、很低的內(nèi)應(yīng)力、針孔密度很少、夠強的機械性能、均勻的膜厚、以及足夠的抗化學(xué)侵蝕性。薄膜的特性主要受到沉積過程、成膜條件、接口層的形成和基材的影響,隨后的熱處理亦扮演重要角色。

      十七、沉積的薄膜有內(nèi)應(yīng)力的存在,其來源為何?

      (1)薄膜和基材之間的晶格失配

      (2)薄膜和基材之間的熱膨脹系數(shù)差異

      (3)晶界之間的互擠

      十八、薄膜要有良好的附著力,必須具有那些基本特性?

      (1)接口層原子之間須有強的化學(xué)鍵結(jié),最好是有化合物的形成或化學(xué)吸附,理吸附是不夠的

      (2)低的殘存應(yīng)力,這可能導(dǎo)因于鍍膜和基材晶格或熱膨脹系數(shù)的失配,也可能是薄膜本身存有雜質(zhì)或

      不良結(jié)構(gòu)

      (3)沒有容易變形的表結(jié)構(gòu),如斷層結(jié)構(gòu),具有機械粗糙的表面是可以減低問題的惡化

      (4)沒有長期變質(zhì)的問題,鍍膜曝露在大氣等的外在環(huán)境,如果本身沒生氧化等化學(xué)反應(yīng),則鍍膜自然

      失去其功能

      十九、膜厚的量測方法有那些?

      大致上可分為原位量測、離位量測兩類

      原位星測系指鍍膜進行中量測,普遍使用在物理氣相沉積,如微天平、光學(xué)、電阻量測。

      離位量測系指鍍膜完成后量測,對電鍍膜的行使較為普遍,具有了解電鍍效率的目的,如質(zhì)量、剖面計、掃描式電子顯微鏡。

      二十、何為物理蒸鍍?試簡述其步驟?

      物理蒸鍍就是把物質(zhì)加熱揮發(fā),然后將其蒸氣沉積在預(yù)定的基材上。由于蒸發(fā)源須加熱揮發(fā),又是在真空中進行,故亦稱為熱蒸鍍或真空蒸鍍。

      其可分為三個步驟

      (1)凝態(tài)的物質(zhì)被加熱揮發(fā)成汽相

      (2)蒸汽在具空中移動一段距離至基材

      (3)蒸汽在基材上冷卻凝結(jié)成薄膜

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