發(fā)布時間:2013-08-17 10:51:51點擊數(shù):1689次
1.1真空鍍膜vacuumcoating:在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。
1.2基片substrate:膜層承受體。
1.3試驗基片testingsubstrate:在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結(jié)束后用作測量和(或)試驗的基片。
1.4鍍膜材料coatingmaterial:用來制取膜層的原材料。
1.5蒸發(fā)材料evaporationmaterial:在真空蒸發(fā)中用來蒸發(fā)的鍍膜材料。
1.6濺射材料sputteringmaterial:有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。
1.7膜層材料(膜層材質(zhì))filmmaterial:組成膜層的材料。
1.8蒸發(fā)速率evaporationrate:在給定時間間隔內(nèi),蒸發(fā)出來的材料量,除以該時間間隔
1.9濺射速率sputteringrate:在給定時間間隔內(nèi),濺射出來的材料量,除以該時間間隔。
1.10沉積速率depositionrate:在給定時間間隔內(nèi),沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。
1.11鍍膜角度coatingangle:入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。
2工藝
2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating:使鍍膜材料蒸發(fā)的真空鍍膜過程。
2.1.1同時蒸發(fā)simultaneousevaporation:用數(shù)個蒸發(fā)器把各種蒸發(fā)材料同時蒸鍍到基片上的真空蒸發(fā)。
2.1.2蒸發(fā)場蒸發(fā)evaporationfieldevaporation:由蒸發(fā)場同時蒸發(fā)的材料到基片上進(jìn)行蒸鍍的真空蒸發(fā)(此工藝應(yīng)用于大面積蒸發(fā)以獲得到理想的膜厚分布)。
2.1.3反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporation:通過與氣體反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空蒸發(fā)。
2.1.4蒸發(fā)器中的反應(yīng)性真空蒸發(fā)reactivevacuumevaporationinevaporator:與蒸發(fā)器中各種蒸發(fā)材料反應(yīng),而獲得理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。
2.1.5直接加熱的蒸發(fā)directheatingevaporation:蒸發(fā)材料蒸發(fā)所必須的熱量是對蒸發(fā)材料(在坩堝中或不用坩堝)本身加熱的蒸發(fā)。
2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā)inducedheatingevaporation:蒸發(fā)材料通過感應(yīng)渦流加熱的蒸發(fā)。
2.1.7電子束蒸發(fā)electronbeamevaporation:通過電子轟擊使蒸發(fā)材料加熱的蒸發(fā)。
2.1.8激光束蒸發(fā)laserbeamevaporation:通過激光束加熱蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。
2.1.9間接加熱的蒸發(fā)indirectheatingevaporation:在加熱裝置(例如小舟形蒸發(fā)器,坩堝,燈絲,加熱板,加熱棒,螺旋線圈等)中使蒸發(fā)材料獲得蒸發(fā)所必須的熱量并通過熱傳導(dǎo)或熱輻射方式傳遞給蒸發(fā)材料的蒸發(fā)。
2.1.10閃蒸flashevaportion:將極少量的蒸發(fā)材料間斷地做瞬時的蒸發(fā)。
2.2真空濺射vacuumsputtering:在真空中,惰性氣體離子從靶表面上轟擊出原子(分子)或原子團(tuán)的過程。
2.2.1反應(yīng)性真空濺射reactivevacuumsputtering:通過與氣體的反應(yīng)獲得理想化學(xué)成分的膜層材料的真空濺射。
2.2.2偏壓濺射biassputtering:在濺射過程中,將偏壓施加于基片以及膜層的濺射。
2.2.3直流二級濺射directcurrentdiodesputtering:通過二個電極間的直流電壓,使氣體自持放電并把靶作為陰極的濺射。
2.2.4非對稱性交流濺射asymmtricalternatecurrentsputtering:通過二個電極間的非對稱性交流電壓,使氣體自持放電并把靶作為吸收較大正離子流的電極。
2.2.5高頻二極濺射highfrequencydiodesputtering:通過二個電極間的高頻電壓獲得高頻放電而使靶極獲得負(fù)電位的濺射。
2.2.6熱陰極直流濺射(三極型濺射)hotcathodedirectcurrentsputtering:借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電,氣體放電所產(chǎn)生的離子,由在陽極和陰極(靶)之間所施加的電壓加速而轟擊靶的濺射。
2.2.7熱陰極高頻濺射(三極型濺射)hotcathodehighfrequencysputtering:借助于熱陰極和陽極獲得非自持氣體放電,氣體放電產(chǎn)生的離子,在靶表面負(fù)電位的作用下加速而轟擊靶的濺射。
2.2.8離子束濺射ionbeamsputtering:利用特殊的離子源獲得的離子束使靶的濺射。
2.2.9輝光放電清洗glowdischargecleaning:利用輝光放電原理,使基片以及膜層表面經(jīng)受氣體放電轟擊的清洗過程。
2.3物理氣相沉積;PVDphysicalvapordeposition:在真空狀態(tài)下,鍍膜材料經(jīng)蒸發(fā)或濺射等物理方法氣化,沉積到基片上的一種制取膜層的方法。
2.4化學(xué)氣相沉積;CVDchemicalvapordeposition:一定化學(xué)配比的反應(yīng)氣體,在特定激活條件下(通常是一定高的溫度),通過氣相化學(xué)反應(yīng)生成新的膜層材料沉積到基片上制取膜層的一種方法。
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