發(fā)布時(shí)間：2013-08-05 11:30:21點(diǎn)擊數(shù)：1141次
利用反射光譜和光致發(fā)光譜，對(duì)采用氫化物氣相外延法（HVPE）和分子束外延法（MBE）生長GaN樣品的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。由反射光譜得出樣品的膜厚和禁帶寬，同時(shí)也說明了HVPE法生長GaN的速率快于MBE法。而通過不同積分時(shí)間下的光致發(fā)光譜的分析，可以看出MBE制備樣品中沒有明顯的黃帶發(fā)光現(xiàn)象，而且?guī)н叞l(fā)光峰光強(qiáng)比HVPE樣品強(qiáng)，初步結(jié)論是MBE比HVPE制備樣品質(zhì)量好。
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